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元件参数资料
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参数目录49518
> IRFHM830DTRPBF MOSFET N-CH 30V 20A PQFN
型号:
IRFHM830DTRPBF
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
International Rectifier
描述:
MOSFET N-CH 30V 20A PQFN
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
IRFHM830DTRPBF PDF
标准包装
4,000
系列
HEXFET®
FET 型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
20A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
4.3 毫欧 @ 20A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
2.35V @ 50µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
27nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
1797pF @ 25V
功率 - 最大
2.8W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
8-VQFN 裸露焊盘
供应商设备封装
PQFN(3x3)
包装
带卷 (TR)
查看IRFHM830DTRPBF代理商
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